技術情報

2002  Volume 34 

Properties and Microstructure of Silicon Carbide (SiC) Cemented Sintered by Hot Isostatic Pressing (HIP) Treatment HIP処理を行った焼結SiCセラミックスの諸特性
Mitsuyoshi NAGANO, Yasuhide MORI, Shigeya SAKAGUCHI, Kouichi NIIHARA, Takahumi KUSUNOSE 永野光芳、森康英、坂口茂也、新原晧一、楠瀬尚史
Key words silicon carbide, hot isostatic pressing, oxide-sintering aids, densification, flexural strength
キーワード 炭化珪素、熱間静水圧加圧、酸化物焼結助剤、緻密化、曲げ強度

Abstract

It was difficult to density Silicon Carbide (SiC) ceramics enough to achieve the theoretical density due to its low sinterability. In this experiment, SiC ceramics with high strength, nearly theoretical density and pore less microstructure were obtained by adding oxide-sintering aids forming liquid phase at high temperature and carrying out Hot Isostatic Pressing (HIP) sintering after normal sintering. However, the sinterability and microstructure of the SiC ceramics were influenced a great deal by quantity and grain size of sintering aid and density before HIP sintering.
SiCセラミックスは焼結性が乏しいために理論密度に達するほど十分に緻密化することができなかった。本実験では、高温域で液相を形成する酸化物系の焼結助剤を添加し、焼結後に熱間静水圧加圧焼結を施すことによってほぼ理論密度に近いポアレスで高い強度を有するSiCセラミックスが得られた。しかしながら、本SiCセラミックスの焼結性と微細構造は、焼結助剤の量や粒子径、さらには、熱間静水圧加圧焼結前の密度に大いに影響を受けることとなった。
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